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(고온초전도 기술개발)고온초전도 박막을 이용한 조셉슨 소자 개발, 제3차년도
(고온초전도 기술개발)고온초전도 박막을 이용한 조셉슨 소자 개발, 제3차년도 / 박종철 ; 한국...
(고온초전도 기술개발)고온초전도 박막을 이용한 조셉슨 소자 개발, 제3차년도
자료유형  
 연구보고서
 
00256565
최종처리일시  
20081010091649
KDC  
505.026-4ㅅ
청구기호  
505.026 박496ㄱ
저자명  
박종철
서명/저자  
(고온초전도 기술개발)고온초전도 박막을 이용한 조셉슨 소자 개발, 제3차년도 / 박종철 ; 한국표준과학연구원
발행사항  
서울 : 과학기술부, 1993
형태사항  
p200 : 삽도 ; 27 cm
키워드  
조셉슨 소자
전자적 위치 및 접속  
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